Description

32 Go Gskill Ripjaws DDR4 SO-DIMM DDR4-3200 1 MHz (32 x XNUMX Go)

 

• Facteur de forme : SO-DIMM
• Type de mémoire: DDR4
• Capacité : 32 Go (32 Gox1)
• Configuration du canal : canal unique
• Vitesse testée: 3200MHz
• Latence CAS : 22-22-22-52
• Tension DRAM : 1.20 V

 

• Une nouvelle norme de vitesse – Ripjaws DDR4 SO-DIMM

Ressentez l'augmentation de la vitesse avec G.SKILL Ripjaws DDR4 SO-DIMM ! Conçue pour les derniers PC NUC ultra hautes performances et à petit facteur de forme, cette mémoire constitue la mise à niveau idéale du système et offre un transfert de données plus rapide et une efficacité énergétique plus élevée que jamais. Découvrez dès aujourd'hui un nouveau standard de vitesse avec le SO-DIMM DDR4 Ripjaws !

• Conçu pour des performances et une fiabilité ultra

Construite uniquement avec des composants spécialement sélectionnés, triés sur le volet dans le processus de regroupement rigoureux et hautement sélectif de G.SKILL, chaque mémoire est soigneusement testée pour garantir des performances et une fiabilité maximales.

• Petit et rapide

Ripjaws DDR4 SO-DIMM est compatible avec les ordinateurs portables de jeu hautes performances et les PC à petit facteur de forme prenant en charge la mémoire DDR4 SO-DIMM. C'est l'un des moyens les plus simples et les plus rentables de mettre à niveau vos PC, que ce soit pour jouer ou travailler.

• Efficacité énergétique

Conçu avec une basse tension de 1.2 V ~ 1.35 V selon la norme DDR4, le SO-DIMM DDR4 Ripjaws réduit la consommation d'énergie et en même temps, réduit la production de chaleur, ce qui aide vos systèmes à fonctionner plus frais, plus stables et plus efficaces.

• Prise en charge de XMP 2.0

Préparez-vous et partez. Programmé avec les derniers profils Intel XMP 2.0, la seule chose qui vous sépare des performances extrêmes est un simple réglage.

 

CARACTERISTIQUES DU PRODUIT

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• Facteur de forme - SO-DIMM

• Type de mémoire – DDR4

• Capacité - 32 Go (32 Gox1)

• Configuration du canal – Kit monocanal

• Vitesse testée (XMP) – 3200 MT / s

• Latence CAS – 22-22-22-52
• Tension DRAM – 1.20V
  

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